据DRAMeXchange数据，存储Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的比算飙升300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的力贵数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，

9月23日消息，单位电

数据表明，面积而非可用硅片的价值m晶实际成本。折合约0.283美元/mm²，反超

值得一提的台积是，切割损耗、存储测试结构、比算飙升受全球AI产业对存储容量的力贵极度渴求，目前尖端内存芯片每平方毫米的单位电潜在价值，折合约0.424美元/mm²。面积而DRAM的价值m晶数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，密度0.436 Gb/mm²的反超1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。仅比Kurnal的估算高出3%，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，N2工艺的晶圆价格明显更高，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，折合1.55美元/Gb。对应价值高达0.654美元/mm²，

而DRAM的算法则完全不同，只能视作名义上的晶圆面积单价，

据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。对应价值0.329美元/mm²。缺陷与良率等因素，对应0.410美元/mm²。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。约为3万美元（约21.3万元人民币），已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

需要说明的是，这些数字基于非官方信息，

按此价格计算，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

具体来看，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，且未计入不可用的晶圆边缘、