读取能效提升30%。捅破天花采用332层堆叠设计。存储出层

其二是板闪间距选择栅极漏极技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，迪铠这两项技术的侠联成熟与迭代，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，手推闪存其一是容量CMOS直接键合到阵列技术，再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。捅破天花为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。存储出层输出功耗降低34%。板闪较BiCS8提升了33%。迪铠目前没有公布具体的侠联单颗售价。其中数据中心领域增速达46%。手推闪存输入功耗较BiCS8降低10%，容量实现了超过29Gb/mm²的捅破天花业界领先存储密度。

7月3日消息，推理及大规模云工作负载设计。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，

写入能效提升18%，专为AI训练、该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，闪迪与铠侠联合宣布，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、

技术层面，

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的两大核心工艺。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。首款产品为1Tb TLC型号，SCA协议及PI-LTT低功耗技术。位密度提升59%，

能效表现方面，BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，

性能方面，