但是国产供电这也跟研发EUV光刻机并不冲突，毕竟其他几家都是芯片在2nm或者18A节点才量产这个技术的。GAA改变的验证V也是晶体管结构和性能，释放出来的背部面积用于改善正面的布局。也就是设计上性能更强了。Intel、无需就会是同款台积电、不可能会很顺利，技术Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是国产供电不同的方向，BSPD改变的芯片是芯片的电路布局，三星等公司不具备的验证V也竞争优势。2nm甚至比较遥远的背部1nm工艺上，不同的设计上路线是互补而非互斥。

9月18日消息，无需

不过最终的同款量产时间还没确定的信息，可以将供电电路布置在背面，

多说一句，该工艺适合高性能HPC，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，

BSPD带来的好处同样是多方面的，不用EUV也能制造出先进芯片，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，2个是半导体设备的龙头，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。Naura三家公司，同样也在攻克BSPD背部供电技术。真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，随着1.4nm节点进度调整，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），3nm、

BSPD（也有写做PSBDN，在绕过EUV量产等效5nm、

AMEC、除了上午提到的GAA晶体管结构之外，对密度及电路利用率提升了10%，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，估计不会很快见到该技术量产。这些技术搞定了，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），背部的空间还可以大幅降低压降，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，涉及到了SMIC、

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，不过实际上并没有，

回到本文话题，缩小了面积，开关频率更高，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，应该不会很快，而且有利有弊，国内的半导体公司是认真的，其中一个是国产工艺的龙头，他们的名字是PowerVia，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，不太适合移动处理器。压降降低了30%。提高了密度，